Показаны результаты 1 - 1 из 1
| Год выпуска | Название | Автор(ы) | Тип | Просмотров | Загружено |
|---|---|---|---|---|---|
| 2016 | Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor | Rogachev, I.A.; Knyazkov, A.V.; Meshkov, O.I.; Kurochka, A.S. | Article | 1382262 | 2771313 |